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    铌酸锂晶体、晶片





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    产品名称

    铌酸锂晶体、晶片

    产品简介

    我厂自1971年开始单晶的研制与生产,1972年5月成功研制出铌酸锂单晶。经过三十年的发展,建立了一整套晶体生长、晶体加工的科研生产体系,其中铌酸锂(LN)单晶1984年获省部級一等奖、Φ50mm钽酸锂(LT)单晶被评为1995年度国家級新产品、Φ3英寸钽酸锂(LT)单晶棒评为1998年度国家级新产品。所生产的高品质晶棒、晶片不仅满足国内市场,还出口到美国、日本、韩国、台湾、香港等国家和地区,受到国內外用户的一致好评。 2001年,我公司引进了一整套具有国际先进水平的晶片加工生产线,清洗、包裝均在1000級净化条件下进行,使晶片的加工能力和精度达到国内领先、国际一流水平。

    规格/标准

    铌酸锂(LiNbO3,简称LN)晶体及晶片用途:铌酸锂(LN)晶体是一种多功能晶体,具有优良的压电效应、电光效应、声光效应、非线性效应及光折变效应。广泛应用于光通信、信息处理、集成光路、图象存储、谐波发生、倍频器件、参量振荡等方面。 
    主要产品:  
    铌酸锂(LiNbO3)单晶棒  
    轴向: Y41°、Y64°、Y128°、Y135°、Y140°、Y、 X、Z  
    直径: Φ2英寸、Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸  
    LN单晶棒技术条件:
    定向面:±18' 
    参考面:±12' 
    极化:单畴 
    SAW級LN单晶片技术条件: 
    生长方向:以上各种晶向±18' 
    直径:Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸 
    片厚:0.35mm~0.37mm 
    参考面宽度:根据用戶要求 
    平整度:≤10μm 
    弯曲度:≤10μm 
    表面:镜面抛光 
    背面:根据用戶要求       倒角:完全 
    根据客户的要求提供不同生长方向的LN Φ3英寸、Φ4英寸、Φ5英寸声表級晶体、光学級晶体、掺杂晶体等新产品,为客户提供满意的产品与服务。

    联系方式